51404174-275 honeywell

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进气压力传感器检测的是节、气门后方的进气歧管的压力，它根据发动机转速和负荷的大小检测出歧管内压力的变化，然后转换成信号电压送至电子控制器（ECU），ECU依据此信号电压的大小，控制基本喷油量的大小。
　　进气压力传感器种类较多，有压敏电阻式、电容式等。由于压敏电阻式具有响应时间快、检测度高、尺寸小且安装灵活等优点，因而被广泛用于D型喷射系统中。
　　压敏电阻式进气压力传感器的工作原理。
　　应变电阻R1、R2、R3、R4,它们构成惠斯顿电桥并与硅膜片粘接在起。硅膜片在歧管内的压力作用下可以变形，从而引起应变电阻R阻值的变化，歧管内的压力越高，硅膜片的变形越大，从而电阻R的阻值变化也越大。即把硅膜片机械式的变化转变成了电信号，再由集成电路放大后输出至ECU。　冷却系统的作用是在所有工况下，保证发动机在适宜的温度下工作，冷却系统匹配的是否合适将直接影响到发动机的使用寿命和燃油经济性，所以在冷却系统的设计及计算中，散热器的选型以及风扇的匹配对冷却系统起着至关重要的作用。
　　为便于组织气流，散热器布置在整车的前面，但由于受到整车布置空间的限制，在其前面还布置了空调冷凝器，这会增加风阻，影响散热器的进风量，从而影响冷却系统的冷却能力。风扇布置在散热器后面，靠风扇电机带动。

发动机冷却系统的的循环

　　汽车发动机的冷却系为强制循环水冷系，即利用水泵提高冷却液的压力，强制冷却液在发动机中循环流动。冷却系主要由水泵、散热器、冷却风扇、补偿水箱、节温器、发动机机体和气缸盖中的水套以及附属装置等组成。
　　在冷却系统中，其实有两个散热循环：个是冷却发动机的主循环，另个是车内取暖循环。这两个循环都以发动机为中心，使用是同冷却液。
、 冷却发动机的主循环
　　主循环中包括了两种工作循环，即“冷车循环”和“正常循环”。冷车着车后，发动机在渐渐升温，冷却液的温度还无法打开系统中的节温器，此时的冷却液只是经过水泵在发动机内进行“冷车循环”，目的是使发动机尽快地达到正常工作温度。随着发动机的温度，冷却液温度升到了节温器的开启温度(通常这温度在80℃后)，冷却循环开始了“正常循环”。这时候的冷却液从发动机出来，经过车前端的散热器，散热后，再经水泵进入发动机。
二、 车内取暖的循环
　　这是个取暖循环，但对于发动机来说，它同样是个发动机的冷却循环。冷却液经过车内的采暖装置，将冷却液的热量送入车内，然后回到发动机。有点不同的是：取暖循环不受节温器的控制，只要打开暖气，这循环就开始进行，不管冷却液是冷的、还是热的。：目前使用广泛的晶体管是CMOS晶体管，CMOS晶体管特点是什么？首先CMOS晶体管功耗和抗干扰能力优于同时期的TTL器件，而且速度和TTL器件相当，所以CMOS取代TTL是大势所趋，我们看到目前集成电路上的晶体管还有几乎所有PLD器件都是采用CMOS技术，这点就说明了CMOS的大行其道。
 　目前使用广泛的晶体管是CMOS晶体管，CMOS晶体管特点是什么？首先CMOS晶体管功耗和抗干扰能力优于同时期的TTL器件，而且速度和TTL器件相当，所以CMOS取代TTL是大势所趋，我们看到目前集成电路上的晶体管还有几乎所有PLD器件都是采用CMOS技术，这点就说明了CMOS的大行其道。

　金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。

　CMOS数字集成电路是利用NMOS管和PMOS管巧妙组合成的电路，属于种微功耗的数字集成电路。主要系列有：
　　1．标准型4000B4500B系列 该系列是以美国RCA的CD4000B系列和CD4500B系列制定的，与美国Motorola的MC14000B系列和C14500B系列产品完全兼容。该系列产品的大特点是工作电源电压范围宽（3～18V）、功耗小、速度较低、品种多、价格低廉，是目前CMOS集成电路的主要应用产品。
　　2．74HC–系列 5474HC–系列是高速CMOS标准逻辑电路系列，具有与74LS – 系列同等的工作度和CMOS集成电路固有的低功耗及电源电压范围宽等特点。74HCxxx是74LSxxx同序号的翻版，型号后几位数字相同，表示电路的逻辑功能、管脚排列完全兼容，为用74HC替代74LS提供了方便。
　　3．74AC–系列 该系列又称“先进的CMOS集成电路”，5474AC 系列具有与74AS系列等同的工作速度和与CMOS集成电路固有的低功耗及电源电压范围宽等特点。 CMOS集成电路的主要特点有：
　　（1）具有非常低的静态功耗。在电源电压V=5V时，中规模集成电路的静态功耗小于100mW。
　　（2）具有非常高的输入阻抗。正常工作的CMOS集成电路，其输入保护二管处于反偏状态，直流输入阻抗大于100MΩ。
　　（3）宽的电源电压范围。CMOS集成电路标准4000B4500B系列产品的电源电压为3～18V。
　　（4）扇出能力强。在低频工作时，个输出端可驱动CMOS器件50个以上输入端。
　　（5）抗干扰能力强。CMOS集成电路的电压噪声容限可达电源电压值的45%，且高电平和低电平的噪声容限值基本相等。
　　（6）逻辑摆幅大。
  复合晶体管，指在IC中，常常把几个晶体管连接起来而构成具有定功能的晶体管；在分析时般是把它们当作个整体来处理。常用的复合晶体管有达林顿（Darlington）晶体管、-CE复合管、复合p-n-p晶体管等。

-CE复合管

　　这种复合晶体管也是由两个n-p-n晶体管构成的（见图2），个BJT（T1）是组态（射跟随器），二个BJT（T2）是CE组态，总的可等效为个CE组态的n-p-n晶体管（性与T2管相同）。该复合晶体管与达林顿晶体管的差别仅在于T1的集电不与T2的集电相连接。这接法上的小小改动，却对于提高复合晶体管的频率特性大有好处，因为这时T1的集电结势垒电容就不再是Miller电容了；而且该复合晶体管的其它性能参数（输入电阻、电流增益和跨导等）都与达林顿晶体管的相同，并且输出电阻还有所提高（这时的输出电阻就等于T2的输出电阻）。因此-CE复合管在IC中大有用武之地。

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